IPB60R190C6ATMA1 vs IPP60R190P6XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB60R190C6ATMA1 द्वारा Infineon और IPP60R190P6XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB60R190C6ATMA1 | IPP60R190P6XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 20.2 A | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 151 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 190 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 32 nC | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO220-3 (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL स्तर | 1 | Not applicable (through-hole) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | CoolMOS P6 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max at 25C | — | 190 mOhm |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | — | 151 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |
| Lead-Free | — | Yes |
| Product Variant | — | XKSA1 (industrial grade, tube pack) |