IPD052N10NF2SATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD052N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon और BSC050N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD052N10NF2SATMA1 | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD052N10NF2SATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 150 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | 3.8 V @ ID=84µA | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Number of Channels | 1 | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| MSL स्तर | — | 1 |