IPD50P04P4L11ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD50P04P4L11ATMA2 द्वारा Infineon और IPB120P04P4L03ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD50P04P4L11ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | P-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | -40 V | — |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | -50 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | 10.6 mΩ typical | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -2.5 V typical | — |
| Typical Gate Charge Qg | 45 nC | — |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | 58 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| पिन काउंट | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per Infineon product page) |