IPD50P04P4L11ATMA2 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50P04P4L11ATMA2 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50P04P4L11ATMA2 | IPB120P04P4L03ATMA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | -40 V | — |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | -50 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | 10.6 mΩ typical | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -2.5 V typical | — |
| Typical Gate Charge Qg | 45 nC | — |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | 58 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| Pin Sayısı | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Transistor Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 136 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Technology Family | — | OptiMOS-P2 |
| Configuration | — | Single P-Channel MOSFET |
| RoHS Durumu | — | Compliant (per Infineon product page) |