IPD60N10S412ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60N10S412ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60N10S412ATMA1 | IAUC120N06S5L015ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (exposed pad) |
| पिन काउंट | 3 (2 + Tab) | — |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (per Infineon definition) | — |
| Technology | — | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 235 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate Charge (Qg, typ) | — | 88 nC |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 167 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | — | VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Typical Application | — | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives |