IPD60N10S412ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60N10S412ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60N10S412ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD60N10S412ATMA1 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 60 A —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 94 W —
RDS(on) Max @ VGS=10V 12.2 mOhm —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Peak Reflow Temperature 260 C —
AEC-Q101 Qualification Qualified (Automotive Grade) —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Tested 100% Avalanche Tested —
Klorürsüz Yes (per Infineon definition) —
Technology — N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin