IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R210PFD7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD60R280P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD60R210PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 210mOhm MOSFET | Infineon
IPD60R210PFD7SAUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R210PFD7SAUMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS PFD7 | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 16 A | 12 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 210 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 64 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Package Type | TO-252 (DPAK) | — |
| Manufacturer Package Designator | PG-TO252-3-344 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (SMT) | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| Application Segment | Consumer-grade SMPS | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| पैकेज | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |