IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R280P7SAUMA1 द्वारा Infineon और IPD60R385CPATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD60R385CPATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 27 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | CoolMOS™ CP (5th generation) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 9 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 83 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) |