IPD60R280P7SAUMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R280P7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R385CPATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R280P7SAUMA1 | IPD60R385CPATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 12 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 27 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 280 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max @ ID = 190 µA | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | 53 W | — |
| Operating Junction Temperature (TJ) | -40 °C to +150 °C | — |
| Technology | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Series | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) | CoolMOS™ CP (5th generation) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Integrated ESD Protection | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 9 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 83 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +150 °C |
| Paket / Kas | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) |