IPD60R380C6ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R380C6ATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R145CFD7ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 - 600V CoolMOS C6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD60R380C6ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD60R145CFD7ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 - 600V 16A 145mOhm CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD60R380C6ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
FET Type N-Channel N-Channel
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +150C (junction)
पिन काउंट — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

डेटाशीट और संसाधन

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