IPD60R380C6ATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R380C6ATMA1 מאת Infineon ו IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R380C6ATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction CoolMOS CFD7 (superjunction)
FET Type N-Channel N-Channel
מארז PG-TO252-3 (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
Series — CoolMOS CFD7
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר