IPD60R385CPATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD60R385CPATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R280P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD60R385CPATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 12 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Technology | — | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| पैकेज | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |