IPD78CN10NGATMA1 vs IPD046N08N5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD78CN10NGATMA1 द्वारा Infineon और IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD78CN10NGATMA1 | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 2 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 13 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 78 mOhm | 4.6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C | 31 W | — |
| Operating Junction Temperature Max | 175 C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Lead Plating | Pb-free (Matte Tin) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per JEDEC1 for target application | — |
| Technology | OptiMOS 2 Power-Transistor | OptiMOS™ 5 trench MOSFET |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Series | — | OptiMOS™ 5 80V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 90 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS स्थिति | — | ROHS3 Compliant |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) |