IPD80R600P7ATMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPL60R180P6AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R600P7ATMA1 | IPL60R180P6AUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V) |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET) |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | -20 V to +20 V (max) |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 22.4 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 180 mΩ |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C | — | 176 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | — | -55 °C to +150 °C |
| Storage Temperature Range | — | -55 °C to +150 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC value] |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |