IPD90N10S406ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N10S406ATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD90N10S406ATMA1 BSC076N04NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD90N10S406ATMA1 —
Family / Series OptiMOS —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 90 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 136 W —
Gate Drive Level Normal Level (10 V typical Vgs) —
Avalanche Energy Rating (EAS) 250 mJ —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Storage Temperature Range -55 °C to +175 °C —
पैकेज / केस PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन की संख्या 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL स्तर MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Built-in Body Diode Yes (single with built-in diode) —
Avalanche Tested 100% Avalanche tested —
Packaging Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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