IPD90N10S406ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD90N10S406ATMA1 bằng Infineon và BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD90N10S406ATMA1 IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 - 100V 90A N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N10S406ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD90N10S406ATMA1 BSC076N04NDATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD90N10S406ATMA1 —
Family / Series OptiMOS —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 90 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 136 W —
Gate Drive Level Normal Level (10 V typical Vgs) —
Avalanche Energy Rating (EAS) 250 mJ —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
Storage Temperature Range -55 °C to +175 °C —
Hộp / Vỏ PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Số lượng chân 3 (Gate, Drain, Source) —
Cấp MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Green Product (RoHS compliant) —
Built-in Body Diode Yes (single with built-in diode) —
Avalanche Tested 100% Avalanche tested —
Packaging Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá