IPG20N10S4L35AATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N10S4L35AATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N10S4L35AATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel (2 independent N-MOSFETs) | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | OptiMOS™ trench MOSFET, logic-level | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 20 A (per channel) | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10 V, ID=17 A | 35 mΩ | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-level (typ. 1.7 V, fully enhanced at 4.5 V) | — |
| Power Dissipation (PD) @ TC=25°C | 43 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (TJ) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-10 (TDSON EP, wettable flank) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rating | 100% avalanche tested | — |
| AEC-Q101 Qualification | Yes (automotive grade) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Green Product) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain Connection | Exposed pad (EP) tied to drain | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |