IPG20N10S4L35ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N10S4L35ATMA1 द्वारा Infineon और BSC027N06LS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPG20N10S4L35ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N10S4L35ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C 20 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 43 W —
ऑपरेटिंग तापमान 175°C max junction —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज / केस PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
MSL स्तर MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Series OptiMOS™, Automotive OptiMOS™ 5
RoHS स्थिति Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Part Status — Active
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +150°C
पिन काउंट — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

डेटाशीट और संसाधन

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