IPG20N10S4L35ATMA1 vs BSC027N06LS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPG20N10S4L35ATMA1 bằng Infineon và BSC027N06LS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPG20N10S4L35ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPG20N10S4L35ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) N-Channel
FET Feature Logic Level Gate —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C 20 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 43 W —
Nhiệt độ hoạt động 175°C max junction —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp / Vỏ PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Cấp MSL MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Series OptiMOS™, Automotive OptiMOS™ 5
Trạng thái RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Part Status — Active
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 2.7 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 83 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55°C to +150°C
Số chân — 8
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total Qg]
Avalanche Energy Rated — Yes
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá