IPL65R070C7AUMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL65R070C7AUMA1 द्वारा Infineon और IPL60R060CFD7AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPL65R070C7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS C7 CoolMOS™ CFD7
Technology Superjunction N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +150°C —
पैकेज PG-VSON-4 (surface mount) PG-VSON-4-1 (Surface Mount)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL Level]
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 40 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 219 W
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V — 60 mΩ
R_DS(on) (typ, datasheet) — 48 mΩ
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V — 79 nC
Input Capacitance (C_iss) — 3193 pF
Output Capacitance (C_oss) — 62 pF
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) — 4.5 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +150 °C

डेटाशीट और संसाधन

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