IPP120N08S403AKSA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP120N08S403AKSA1 द्वारा Infineon और BSC190N15NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP120N08S403AKSA1 | BSC190N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (bondwire-limited) | 245 A at 25 C | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 278 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V max | 2.5 V to 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 167 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | 11550 pF | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.54 K/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (peak reflow up to 260 C) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Rating | 100% avalanche-tested | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Technology Family | OptiMOS | — |
| Technology | — | OptiMOS 3 (N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 19 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C |