IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPP320N20N3GXKSA1 द्वारा Infineon और IPP075N15N3GXKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 - 200V 34A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPP320N20N3GXKSA1 | IPP075N15N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 34 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 32 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Power Dissipation PD at TC=25°C | 136 W | — |
| पैकेज | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन की संख्या | 3 (3 + Tab) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Element Configuration | Single | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | Not applicable (through-hole) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 7.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS Compliant |
| Ordering Code Suffix | — | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) |