IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP320N20N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP075N15N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP320N20N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
پیکیج TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (3 + Tab) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL لیول Not applicable (through-hole) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں