IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP320N20N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP075N15N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 - 200V 34A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPP320N20N3GXKSA1 | IPP075N15N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 34 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 32 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Power Dissipation PD at TC=25°C | 136 W | — |
| Paket | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) |
| Montaj Türü | Through Hole | Through Hole |
| Pin Sayısı | 3 (3 + Tab) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Element Configuration | Single | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL Seviyesi | Not applicable (through-hole) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 300 W |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 7.5 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Lead-Free / RoHS | — | RoHS Compliant |
| Ordering Code Suffix | — | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) |