IPT022N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPT022N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPT022N10NF2SATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | StrongIRFET 2 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 236 A | — |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | 2.2 mΩ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 250 W | — |
| पैकेज | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 4 V (max, typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |