IPT022N10NF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT022N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 - 100V 2.2mΩ StrongIRFET 2 N-MOSFET | Infineon
IPT022N10NF2SATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT022N10NF2SATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | StrongIRFET 2 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 29 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 236 A | — |
| Typical RDS(on) at VGS=10V | 2.2 mΩ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.8 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 250 W | — |
| پیکیج | PG-HSOF-8-10 (8 leads + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 4 V (max, typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |