IPZ40N04S53R1ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPZ40N04S53R1ATMA1 द्वारा Infineon और BSC0902NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPZ40N04S53R1ATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C | 40 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C | 71 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A | 3.1 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) | 7 V, 10 V | — |
| Maximum V_GS | +/-20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +150C (Tj) |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (260 C peak reflow) | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive | JEDEC qualified for target applications |
| Avalanche Tested | 100 % | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Series | OptiMOS 5 (IPZ family) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| हैलोजन फ्री | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |