IPZ40N04S53R1ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPZ40N04S53R1ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0902NSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPZ40N04S53R1ATMA1 | BSC0902NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25 C | 40 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25 C | 71 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10 V, I_D=20 A | 3.1 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max R_DS on, Min R_DS on) | 7 V, 10 V | — |
| Maximum V_GS | +/-20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +150C (Tj) |
| Paket | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (260 C peak reflow) | — |
| Qualification | AEC-Q101 automotive | JEDEC qualified for target applications |
| Avalanche Tested | 100 % | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green Product) | Compliant (Pb-free lead plating) |
| Series | OptiMOS 5 (IPZ family) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 24 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) @ VGS=10V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| RDS(on) @ VGS=4.5V max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Klorürsüz | — | Yes, per IEC 61249-2-21 |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |