IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH35N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQD016N08NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |