IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE008N03LM5CGSCATMA1 BSC076N04NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) Max 252 A (per channel, case-temperature limited) —
On-Resistance (RDS(on)) Max 0.85 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 4 V (max, typical)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
पैकेज PG-WHTFN-9 (WHTFN) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (top + bottom cooling) Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Polarity N-Channel —
पिन की संख्या 9 (WHTFN with exposed thermal pads) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) —
RoHS स्थिति Compliant —
हैलोजन फ्री Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

डेटाशीट और संसाधन

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