IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE008N03LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו BSC076N04NDATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4 V (max, typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C (junction) | — |
| מארז | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Polarity | N-Channel | — |
| מספר פינים | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| רמת MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |