IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE008N03LM5CGSCATMA1 bằng Infineon và BSC076N04NDATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4 V (max, typical) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | — |
| Hộp | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Số lượng chân | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Đông trùng haogen | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Hộp / Vỏ | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |