IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IPC50N04S5L5R5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| पिन की संख्या | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 50 A |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 5.5 mΩ |
| Gate Threshold VGS(th) | — | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 42 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | — | 3.6 K/W |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Avalanche Rating | — | 100 % Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |