IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE013N04LM6ATMA1 द्वारा Infineon और IQE220N15NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE013N04LM6ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| पैकेज | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | — | Single N-Channel |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| MSL स्तर | — | 1 |