IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE013N04LM6ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 4.6 V (typ at 46 µA)
پیکیج PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TSON-8-5 (Source-Down)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Single N-Channel
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں