IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon और IQD016N08NM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |