IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQE036N08NM6CGATMA1 bằng Infineon và IQD016N08NM5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon
IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 5 |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |