IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE050N08NM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IQD020N10NM5CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |