IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE050N08NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD020N10NM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD020N10NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 26 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | — | 273 A |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 2.0 mΩ (at VGS=10V) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 333 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) |