IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE065N10NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQE013N04LM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 2 V (typ) |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | -55 °C to +175 °C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |