IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE220N15NM5ATMA1 द्वारा Infineon और IQE220N15NM5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE220N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन | Single N-Channel | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-WHSON-8-1 (Source-Down) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (Trench >=100V) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 22 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Configuration | — | Single |