IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE220N15NM5ATMA1 توسط Infineon و IQE220N15NM5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE220N15NM5ATMA1 | IQE220N15NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 22 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V (typ at 46 µA) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14.4 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 14 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 340 pF | — |
| پیکربندی خروجی | Single N-Channel | — |
| بسته‌بندی | PG-TSON-8-5 (Source-Down) | PG-WHSON-8-1 (Source-Down) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 (Trench >=100V) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | 1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 22 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C (junction) |
| تعداد پین‌ها | — | 8 |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Configuration | — | Single |