IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE220N15NM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE220N15NM5ATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A 44 A
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) —
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Çıkış Konfigürasyonu Single N-Channel —
Paket PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-WHSON-8-1 (Source-Down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 (Trench >=100V)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
On-State Resistance (RDS(on)) max — 22 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı — 8
Avalanche Rated — Yes
Configuration — Single

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin