IQEH84NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH88N06LM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQEH84NE2LM7UCGATMA1 द्वारा Infineon और IQDH88N06LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQEH84NE2LM7UCGATMA1 | IQDH88N06LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 107 W | — |
| RDS(on) @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] | — |
| RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (surface mount, source-down) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | [DATA_NEEDED: pin count from datasheet pinout] | 9 (with exposed pad) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Switching Application | Hard- and soft-switching | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta=25°C) | — | 42 A |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | — | 447 A |
| On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 0.86 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 3 W |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | — | 333 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge Qg typical | — | [DATA_NEEDED: Qg typical nC] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| Cooling | — | Dual-side cooling capable |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single |