IRF1010EPBF vs IRF1407PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1010EPBF द्वारा Infineon और IRF1407PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1010EPBF | IRF1407PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 84 A at Tc | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 12 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.6 nC | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (stripe-planar MOSFET) |
| पैकेज | TO-220AB | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET | — |
| RoHS स्थिति | RoHS3 Compliant | — |
| MSL स्तर | 3 (168 Hours) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Rise Time / Fall Time | [DATA_NEEDED: switching times] | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to case] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 130 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 330 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 7.8 mOhm (typical) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] |
| Gate Charge (Qg) | — | 160 nC (typical) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |