IRF150DM115XTMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF150DM115XTMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF150DM115XTMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRF150DM115XTMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel, normal level) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | [DATA_NEEDED: ID @ 25C and TC] A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] V | — |
| Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total QG @ VGS=10V] nC | — |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | Yes |
| पैकेज | DirectFET (double-side cooled, ultra-thin) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max] C | -55 C to +150 C |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free per datasheet) | Compliant |
| Gate Drive Level | Normal-level (10 V drive) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |