IRF3205STRLPBF vs IRF4905LPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF3205STRLPBF द्वारा Infineon और IRF4905LPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF3205STRLPBF | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 110 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 390 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 8 mΩ max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 97.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 200 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-263-3 (D2PAK) | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Packaging | Tape & Reel (STRL) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |