IRF7205TRPBF vs IRFR5505TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7205TRPBF द्वारा Infineon और IRFR5505TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7205TRPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET (4th generation) | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | -4.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 70 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | 130 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +150 °C | — |
| पैकेज | SO-8 (8-SO) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -18 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| MSL स्तर | — | 1 |