IRF7205TRPBF vs IRFR5505TRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF7205TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR5505TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF7205TRPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.18 | $0.38 |
| FET Type | P-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET (4th generation) | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | -4.6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 70 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | 130 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 2.5 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +150 °C | — |
| 패키지 | SO-8 (8-SO) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Lead-Free | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -18 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +175 °C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| MSL 레벨 | — | 1 |