IRF7205TRPBF vs IRFR5505TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF7205TRPBF bằng Infineon và IRFR5505TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF - P-Ch -30V -4.6A 70mΩ SO-8 MOSFET | Infineon

IRF7205TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5505TRLPBF IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF - P-Ch 55V 18A 110mOhm DPAK MOSFET | Infineon

IRFR5505TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF7205TRPBF IRFR5505TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Tiêu hao điện năng (TC=25°C) 2.5 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +150 °C —
Hộp SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Cấp MSL — 1

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá